想象一下,未來我們穿的衣服不再僅僅是蔽體的工具,而是能夠感知周圍環境,監測身體狀況,甚至實現人機交互的智能系統。這正是可穿戴科技的魅力所在!而將光電器件,如晶體管和光電探測器(PDs),集成到可穿戴設備和紡織品中,是實現這一愿景的關鍵。
然而,可穿戴科技的發展面臨著巨大的挑戰,其中一個關鍵問題是如何讓器件在彎曲、拉伸等機械形變下保持穩定性能。傳統的器件大多依賴于硅基材料,難以滿足柔性可穿戴的需求。
石墨烯-鈣鈦礦開啟可穿戴科技新紀元
為了突破這一技術瓶頸,來自劍橋大學的 Andrea C. Ferrari 教授團隊在 Advanced Materials 期刊上發表了一項突破性研究,他們巧妙地將石墨烯和鈣鈦礦結合起來,制備出具有優異性能的可穿戴光纖光電探測器。
l 石墨烯纖維,開啟無限可能
該團隊首先使用化學氣相沉積 (CVD) 方法在銅箔上生長出單層石墨烯 (SLG),并將其轉移到光纖上,然后將光纖繞轉石墨烯層,形成導電的光纖。再通過原子層沉積 (ALD) 技術沉積一層 Al2O3 薄膜作為介電層,并通過相同方法將另一層石墨烯卷繞在上面,形成器件的通道。最后,在通道層上沉積一層鈣鈦礦,作為器件的光敏元件。
l 石墨烯-鈣鈦礦材質特性整理
- 石墨烯,是單層碳原子組成的平面材料,厚度僅為一個原子層,是已知最薄的材料之一。
其優勢:
l 高導電性: 石墨烯具有優異的導電性能,電子遷移率在室溫下可以達到15000 cm2/V·s以上。使其成為制作導電纖維的理想材料。
l 柔性可彎曲且輕薄: 石墨烯作為二維材料非常輕薄,幾乎沒有重量的柔性特性使其能夠適應纖維的彎曲變形,不會影響器件性能。
l 化學穩定性: 石墨烯具有良好的化學穩定性,可以抵御環境中的腐蝕和氧化,從而保證器件的長期穩定性。
-鈣鈦礦的優勢
l 高光響應: 鈣鈦礦材料具有良好的光電特性,使其成為制作光電探測器的理想選擇。
l 可調諧能隙: 鈣鈦礦材料的能隙可以通過改變其成分進行調節,使其適用于不同的光譜范圍。
l 低成本: 鈣鈦礦材料可通過溶液發低溫制備,工藝簡單且成本低廉,使其具有經濟優勢。
該團隊制備的光纖光電探測器 (PD) 表現出優異的性能:
高速響應: 響應時間約為 9 毫秒,比現有的可穿戴光纖光電探測器快一個數量級。
高外部響應度: 在 488 nm 激光照射下,器件在 1 V 偏置電壓下具有約 22 kA/W 的外部響應度,比現有的可穿戴光纖光電探測器高兩個數量級。
優異的柔韌性: 在 4 mm 半徑彎曲下,器件的光電流保持率高達 80%,展現出優異的柔韌性。
良好的耐洗性: 經過 30 次 AATCC 標準洗滌測試后,器件的光電流保持率約為 72%,展現出良好的耐洗性。
未來的應用場景
這項研究為可穿戴光電探測器的開發開辟了新的道路,具有廣闊的應用前景:
l 醫療保健: 可穿戴光纖光電探測器可以集成到衣物中,監測心率、血壓等生理參數,為疾病診斷和健康管理提供更便捷的方式。
l 人機交互: 光纖光電探測器可以感知環境光線變化,從而實現人機交互,例如控制智能設備、照明系統等。
l 安全監測: 光纖光電探測器可以用于監測危險環境,例如檢測有害物質或危險氣體,保障人員安全。
挑戰與機遇
盡管石墨烯-鈣鈦礦光纖光電探測器展現出巨大的應用潛力,但其發展也面臨著一些挑戰:
穩定性: 鈣鈦礦材料的穩定性仍然是制約其應用的重要因素。如何在惡劣環境條件下保持鈣鈦礦材料的穩定性,是未來研究的重點。
大規模制備: 目前,石墨烯-鈣鈦礦光纖光電探測器的制備工藝比較復雜,難以實現大規模生產。
集成性: 將光纖光電探測器與其他電子器件和紡織品集成,實現更加復雜的功能,還需要進行進一步的研究。
總結
石墨烯-鈣鈦礦光纖光電探測器有望在可穿戴科技領域掀起新的革命。其優異的性能和良好的穩定性,將為可穿戴電子設備的設計和應用開拓新的可能性,為人們的生活帶來更多便利和安全保障。未來,克服現有的挑戰,將進一步推動該技術的發展,實現可穿戴科技的廣泛應用。
Fig. 7.
(B)光致發光光譜,分析: PVK在750 nm處有顯著的發光峰,而SLG/PVK的發光強度較低。
(C)光致發光壽命,分析: PVK的光致發光壽命較長,而SLG/PVK的衰減更快。
Fig. 9.
(a) 光纖PD的光譜噪聲功率。縱軸為噪聲密度(dBm/Hz),橫軸為頻率(Hz)。(b) 光纖PD的波長依賴性 ????????R ext 和吸收率。縱軸左側為 ????????R ext (A/W),右側為吸收率,橫軸為波長(nm)。
原文出處: ADVANCED MATERIALS
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l 波長擴充可達 1800 nm。
l 可選配軟件升級控制 Kiethley 4200 SMU。
l 應用- 有機光傳感器 (OPD, Organic Photodiode)、鈣鈦礦光傳感器 (PPD, Perovskite Photodiode)、量子點光傳感器 (QDPD, Quantum Dots Photodiode)、新型材料光傳感器,第三代半導體材料(Photodiode/Photodetector)